無論是插件技術還是芯片安裝技術，電容器本身都與PCB垂直。SMT的優勢主要體現在生產上，自動化程度高，精度高。在運輸過程中不像插入式那樣容易損壞。在性能方面，串聯電容器對頻率的適應性較差，但當頻率小于500MHz時，很難顯示出差別，如何在外觀上區分片式電容器和片式電阻？片式電容器表面沒有印刷，這與它的制造工藝有關。

無論是插件技術還是芯片安裝技術，電容器本身都與PCB垂直。最根本的區別是芯片安裝設備的電容器有一個黑色的橡膠底座。SMT的優勢主要體現在生產上，自動化程度高，精度高。在運輸過程中不像插入式那樣容易損壞。然而，芯片放置裝置需要波峰焊工藝，高溫后會影響電容器的性能，特別是陰極采用電解液時，電解液會在高溫后變干。插件工藝的器件趣味性較低，在同樣的趣味性下電容器本身的性能可以更好
在性能方面，串聯電容器對頻率的適應性較差，但當頻率小于500MHz時，很難顯示出差別，如何在外觀上區分片式電容器和片式電阻？片式電容器表面沒有印刷，這與它的制造工藝有關（片式電容器是高溫燒結而成，因此無法在表面印刷）。片式電阻器采用絲網印刷（可印刷商標）。詳細工藝流程請來電或來函
片式電容器，全稱：多層（疊層、疊層）片式陶瓷電容器，又稱片式電容器，英文縮寫：MLCC，容量范圍：0.5pf100uf，其中，一般認為容量超過1uF的是大容量電容器。額定電壓：從4v4kvdc起，當額定電壓為100V及以上時，分為中高壓產品
片式電容器的穩定性和容量精度與介質數據有關，可分為三類：
以cog/NPO為Ⅰ類介質的高頻電容器的溫度系數為0± 30ppm/℃, 電容非常穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間變化，主要用于高頻電子電路，如振蕩、定時電路等；其容量精度主要如下± 5%，當容量小于10PF時，可選擇b檔（± 0.1pfc（± 0.25 PFD（± 5便士。