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電容器
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壓敏電阻的選型及原理

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-04-11 16:14:00

氧化鋅壓敏電阻實(shí)際上是具有非線性伏安特性的敏感元件。在正常電壓條件下,它相當(dāng)于一個(gè)小電容器。當(dāng)電路有過(guò)電壓時(shí),其內(nèi)阻急劇下降并迅速導(dǎo)通,其工作電流增加幾個(gè)數(shù)量級(jí),從而有效地保護(hù)電路中的其他元件免受過(guò)電壓和損壞。氧化鋅層由陶瓷和周?chē)Ы缰械膶?duì)稱晶粒結(jié)構(gòu)制成。在接觸的兩個(gè)晶粒之間形成相當(dāng)于齊納二極管的勢(shì)壘,這是一個(gè)變阻器單元。如果短路時(shí)間過(guò)長(zhǎng),會(huì)發(fā)生爆炸和火災(zāi),損壞周?chē)考灰部赡艽嬖跀嗦贰?/p>


氧化鋅壓敏電阻實(shí)際上是具有非線性伏安特性的敏感元件。在正常電壓條件下,它相當(dāng)于一個(gè)小電容器。當(dāng)電路有過(guò)電壓時(shí),其內(nèi)阻急劇下降并迅速導(dǎo)通,其工作電流增加幾個(gè)數(shù)量級(jí),從而有效地保護(hù)電路中的其他元件免受過(guò)電壓和損壞
氧化鋅層由陶瓷和周?chē)Ы缰械膶?duì)稱晶粒結(jié)構(gòu)制成。ZnO晶粒的電阻率很低,而晶界層的電阻率很高。在接觸的兩個(gè)晶粒之間形成相當(dāng)于齊納二極管的勢(shì)壘,這是一個(gè)變阻器單元。每個(gè)單元的擊穿電壓約為3.5V。如果許多這樣的單元串聯(lián)或并聯(lián),它們就形成了變阻器的矩陣。串聯(lián)單元越多,擊穿電壓越高,襯底的橫截面積越大,電流容量越大。當(dāng)變阻器工作時(shí),每個(gè)變阻器單元都承受浪涌電能,而不是像齊納二極管那樣承受電能的結(jié)區(qū),這就是為什么變阻器可以承受比齊納二極管大得多的電能
選擇變阻器DC(工作電壓)>;1.5*AC(電路中的工作電壓),變阻器應(yīng)在其額定參數(shù)條件下工作,否則可能導(dǎo)致變阻器發(fā)熱劣化,甚至擊穿。壓敏電阻的主要故障模式是短路。如果短路時(shí)間過(guò)長(zhǎng),會(huì)發(fā)生爆炸和火災(zāi),損壞周?chē)考灰部赡艽嬖跀嗦贰?br />  

摘自:http://www.sznse.com/Article/ymdzdxxjyl.html

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