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陶瓷電容的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時間:2019-05-29 17:58:00

  陶瓷電容不僅可以耐高溫、耐腐蝕,而且有較高的介電常數(shù),這對當(dāng)前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。


  電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能,材料介電常數(shù)越大,抗電強度越高,則小型化程度越好。


  因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。


  玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。

 

陶瓷電容

 


  晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題,因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。


  結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗要降低陶瓷電容的介質(zhì)損耗。


  主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子,目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。

此文關(guān)鍵字:陶瓷電容 陶瓷電容廠家

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