鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數高、交流耐壓性能好等優點，但也存在電容隨介質溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是一個順電體，沒有自發極化。高電壓之下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數變化不大，Tg較低。多層陶瓷電容器是應用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內電極材料和陶瓷體交替并聯而成，整體燒制而成的片式單片電容器。

晶粒邊界層陶瓷電容器。涂布適量金屬氧化物（如CuO或Cu２Ｏ、MnO２、Bi２Ｏ３、Tl２Ｏ３等）。在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面。涂層氧化物在適當的溫度和氧化條件之下熱處理之后，與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷之中，并在晶界處形成一層薄的固溶體絕緣層。

鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數高、交流耐壓性能好等優點，但也存在電容隨介質溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是一個順電體，沒有自發極化。高電壓之下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數變化不大，Tg較低。多層陶瓷電容器是應用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內電極材料和陶瓷體交替并聯而成，整體燒制而成的片式單片電容器。

晶粒邊界層陶瓷電容器。涂布適量金屬氧化物（如CuO或Cu２Ｏ、MnO２、Bi２Ｏ３、Tl２Ｏ３等）。在晶粒發育良好的鈦酸鋇半導體陶瓷表面。涂層氧化物在適當的溫度和氧化條件之下熱處理之后，與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開孔和晶界迅速擴散到陶瓷之中，并在晶界處形成一層薄的固溶體絕緣層。

這種薄固溶體絕緣層的電阻率非常高（可達1012—1013Ω.雖然陶瓷顆粒仍是半導體，但用這種陶瓷制成的整個陶瓷體的表觀介電常數高達2×104～8×這種電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器），而高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種類型：鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數高、交流耐壓性能好等優點，但也存在電容隨介質溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點。

鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結構。它是一個順電體，沒有自發極化。高壓之下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數變化不大，Tg較低。多層陶瓷電容器是應用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內電極材料和陶瓷體交替并聯而成，整體燒制而成的片式單片電容器。有體積小、比電容高、精度高等特點。它可以安裝在印刷電路板（PCB）和混合集成電路（HIC）基板之上，可以有效地減小電子信息終端產品（尤其是便攜式產品）的體積和重量，提高產品的可靠性。順應了IT產業小型化、輕量化、高性能、多功能的發展方向。