厚膜電阻與薄膜電阻的結構區(qū)別
金屬箔電阻是由真空熔煉而成的金屬箔,然后通過軋制制成金屬箔,然后將金屬箔與氧化鋁陶瓷基片結合,然后通過光刻工藝控制金屬箔的形狀,從而控制。金屬箔電阻是目前可以控制佳的。厚膜電阻是目前應用廣泛的,價|格便宜,耐受性分別為百分之5和百分之1,大部分產(chǎn)品用于百分之5和百分之1的片狀厚膜電阻。薄膜電阻是在氧化鋁陶瓷襯底上真空沉積形成的,通常只有0.1um厚,只有厚膜電阻的1/1000,然后通過光刻工藝將薄膜蝕刻成一定的形狀。
金屬箔電阻是由真空熔煉而成的金屬箔,然后通過軋制制成金屬箔,然后將金屬箔與氧化鋁陶瓷基片結合,然后通過光刻工藝控制金屬箔的形狀,從而控制。金屬箔電阻是目前可以控制佳的。厚膜電阻是目前應用廣泛的,價|格便宜,耐受性分別為百分之5和百分之1,大部分產(chǎn)品用于百分之5和百分之1的片狀厚膜電阻。薄膜電阻是在氧化鋁陶瓷襯底上真空沉積形成的,通常只有0.1um厚,只有厚膜電阻的1/1000,然后通過光刻工藝將薄膜蝕刻成一定的形狀。
金屬箔電阻(MetalFoilResistor)是由真空熔煉而成的金屬箔,然后通過軋制制成金屬箔,然后將金屬箔與氧化鋁陶瓷基片結合,然后通過光刻工藝控制金屬箔的形狀,從而控制電阻。金屬箔電阻是目前可以控制的佳電阻。
厚膜電阻(ThickFilmResistor)中使用的絲網(wǎng)印刷方法是將一層鈀銀電極附著在陶瓷襯底上,然后打印一層二氧化釕作為電極之間的。厚膜電阻的膜通常是厚的,大約100微米。厚膜電阻是目前應用廣泛的,價|格便宜,耐受性分別為百分之5和百分之1,大部分產(chǎn)品用于百分之5和百分之1的片狀厚膜電阻。
薄膜電阻是在氧化鋁陶瓷襯底上真空沉積形成的,通常只有0.1um厚,只有厚膜電阻的1/1000,然后通過光刻工藝將薄膜蝕刻成一定的形狀。薄膜工藝的光刻工藝非常精|確,可以形成復雜的形狀。因此,薄膜電容的性能可以很好地控制。可變電阻是指電阻值可以改變,可以有兩種:一種是阻值可以手動調節(jié),另一種是阻值可以根據(jù)其他物理條件變化。
推薦產(chǎn)品
- 柔性端頭電容器
柔性端頭多層片式陶瓷電容器具有高強度的抗彎曲性能,下彎可達到3mm;可增加溫度周期變化次數(shù),最多3000次;采用柔性端頭體系;可減少線路板因彎曲導致的失效故障。
- 40/60V MOS管
我們的MOS管均為東微半導體出產(chǎn),GreenMOS及SFGMOS產(chǎn)品系列均通過了完成的可靠性測試(JESD22),產(chǎn)品在高溫反偏1000小時后仍能正常工作
- 貼片電容-安規(guī)片容
特性: 1.新型獨石結構,體積小,電容量高,能在高壓下工作。 2.符合UL60950-1標準。 3.僅用于回流焊接。實用于薄型設備。 應用: 適用于無變壓器的DAA調制調解器線路濾波器及耦合用。 適合信息設備線路濾波器用。 這個為部分安規(guī)電容物料信息,如需了解更多,可以直接咨詢我們!
- 片式二極管
0603 0805 1206. 應用 :通訊設備、無繩電話、手機及充電器、衛(wèi)星接收機。 數(shù)碼相機、音響系統(tǒng)、電視機、錄放機、攝錄機。
- CT81高溫高介電質圓片瓷介電容器
CC1 、 CC81 、CT1、 CT81、 CS1 、CT7。特性:損耗低、容量穩(wěn)定性高,電容量變化與溫度呈線性關系,多種溫度系數(shù)。應用:諧振回路及溫度補償效應的電路。
- 獨石電容
徑向引線電容器(獨石電容器)汽車等級、具有可靠性的特點,擁有優(yōu)良的焊接性和耐焊性,適合于波峰焊,環(huán)氧樹脂封裝,從而具有優(yōu)良的防潮性能、機械強度及耐熱性 應用:諧振回路及溫度補償效應的電路。
同類文章排行
- 厚膜電阻與薄膜電阻的結構區(qū)別
- 碳膜電阻、金屬膜電阻與金屬氧化膜電阻
- 固定電阻與可變電阻的類型與區(qū)別
- 電阻的標識及其代表的意義
- 電阻的濾波、阻抗和精度
- 電容極性與鋁電解的結構類型
- 陶瓷電容的溫度特性與標記
- 電解電容為什么不做旁路使用
- 電容器的電容容量為何要標識準確
- 電容量的大小就是我們所說的表示電能的多少嗎?
最新資訊文章
- 厚膜電阻與薄膜電阻的結構區(qū)別
- 碳膜電阻、金屬膜電阻與金屬氧化膜電阻
- 固定電阻與可變電阻的類型與區(qū)別
- 電阻的標識及其代表的意義
- 電阻的濾波、阻抗和精度
- 電容極性與鋁電解的結構類型
- 陶瓷電容的溫度特性與標記
- 薄膜電容的幾種結構類型
- 可變電容與薄膜電容的特性
- 零歐姆電阻在電路中所起的作用