一般來說，陶瓷電容器和高頻電容器非常相似。實際上，它們之間存在著頻率差。在高穩定振蕩電路中，采用電容溫度系數小的陶瓷電容器作為回路和墊電容器。高頻陶瓷電容器是由適合噴涂的特殊混合物制成的。陶瓷電容器主要針對高頻。隨著科學技術的發展，高頻和陶瓷電容器得到了廣泛的應用，選擇質量好、安 全可靠的高頻和陶瓷電容器是非常重要的。

陶瓷電容器和高頻電容器非常相似，實際上，它們之間存在著頻率差。高頻電容器是陶瓷的。陶瓷電容器是由高介電常數的陶瓷（鈦酸鋇鈦氧化物）擠壓成管、盤或盤作為介質，用燒結浸滲法在陶瓷表面鍍銀作為電極。又分為高頻和低頻。

在高穩定振蕩電路中，采用電容溫度系數小的陶瓷電容器作為回路和墊電容器。低頻陶瓷電容器僅 限于低頻電路中的旁路或直流隔離，或在穩定性和損耗要求不高的地方。這些不適合在脈沖電路中使用，因為它們容易被脈沖電壓擊穿。

高頻陶瓷電容器是由適合噴涂的特殊混合物制成的。電介質與銀電極燒結形成“整體”結構。高頻陶瓷電容器適用于高頻電路的云母電容器。從結構上可分為箔式和鍍銀型。銀電極是通過真空蒸發或燃燒浸滲直接在云母上沉積銀層而制成的。由于消 除了氣隙，溫度系數大大降低，電容穩定性比箔式電極高。

陶瓷電容器主要針對高頻。高壓陶瓷電容器取決于它在哪里使用。典型功能可消 除高頻干擾。

特殊的串聯結構適用于高電壓、高電流爬升率的長期運行可靠性，適用于大電流回路的無感結構。

高頻電容器具有頻率特性好、Q值高、溫度系數小等特點，不能制成大容量，廣泛應用于高頻電器中，可作為標準玻璃釉電容器使用。可在200℃或更高溫度下工作。額定電壓可達500V，損耗TGδ為0.0005～0.008。隨著科學技術的發展，高頻電容器和陶瓷電容器得到了廣泛的應用。選擇質量好、安 全可靠的高頻和陶瓷電容器是非常重要的。