近年來，隨著電子技術的發展，電路的工作電壓和工作電流越來越低。低電壓工作有利于降低電路的整體功耗，但也為電源的設計提出了新的問題。為了使電路正常工作，必須對同步整流器進行控制，這是用同步整流器代替二極管的基本要求。因此，必須根據二極管的工作規律選擇一種合適的驅動方式，并由PWM控制信號形成驅動信號來確定開關電路。不同的狀態。

近年來，隨著電子技術的發展，電路的工作電壓和工作電流越來越低。低電壓工作有利于降低電路的整體功耗，但也為電源的設計提出了新的問題。

開關電源的損耗主要由功率開關損耗、高頻變壓器損耗和輸出整流器損耗三部分組成。在低電壓、大電流輸出時，整流二極管的導通壓降大，輸出整流管的損耗尤為突出，恢復快。二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）即使采用低壓降肖特基二極管（SBD）也能達到10～12V，導致約0.6V的電壓降，增加了整流損耗，降低了電源效率。

近年來，隨著電子技術的發展，電路的工作電壓和工作電流越來越低。低電壓工作有利于降低電路的整體功耗，但也為電源的設計提出了新的問題。為了使電路正常工作，必須對同步整流器進行控制，這是用同步整流器代替二極管的基本要求。因此，必須根據二極管的工作規律選擇一種合適的驅動方式，并由PWM控制信號形成驅動信號來確定開關電路。不同的狀態。

近年來，隨著電子技術的發展，電路的工作電壓和工作電流越來越低。低電壓工作有利于降低電路的整體功耗，但也為電源的設計提出了新的問題。

開關電源的損耗主要由功率開關損耗、高頻變壓器損耗和輸出整流器損耗三部分組成。在低電壓、大電流輸出時，整流二極管的導通壓降大，輸出整流管的損耗尤為突出，恢復快。二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）即使采用低壓降肖特基二極管（SBD）也能達到10～12V，導致約0.6V的電壓降，增加了整流損耗，降低了電源效率。

傳統的二極管整流電路已不能滿足高效率、小體積、低電壓、大電流開關電源的要求，已成為提高DC/DC變換器效率的瓶頸。

在功率變換領域，MOSFET被用作低輸出直流電壓隔離變換器的整流器。這些器件由于其低傳導損耗和高效率而得到廣泛應用。

為了使電路正常工作，必須對同步整流器進行控制，這是用同步整流器代替二極管的基本要求。因此，必須根據二極管的工作規律選擇一種合適的驅動方式，并由PWM控制信號形成驅動信號來確定開關電路。不同的狀態。