一般來說，陶瓷電容器與高頻電容器非常相似。實際上，它們間存在頻率差異。在高穩定的振蕩電路之中，電容溫度系數小的陶瓷電容器被用作回路電容器和焊盤電容器。高頻陶瓷電容器是由一種適合噴涂的特殊化合物制成的。陶瓷電容器主要針對高頻。隨著科學技術的發展，高頻和瓷介電容器得到了廣泛的應用，而選擇質量好、安全可靠的高頻和瓷介電容器是非常重要的。

陶瓷電容器和高頻電容器很相似，其實它們間是有頻率差的。高頻電容器是陶瓷的。陶瓷電容器是以高介電常數陶瓷（鈦酸鋇鈦氧化物）擠壓成管、盤或圓片為介質，在陶瓷表面鍍銀作為電極，經燒結熔滲而成。分為高頻和低頻。

在高穩定的振蕩電路之中，電容溫度系數小的陶瓷電容器被用作回路電容器和焊盤電容器。低頻陶瓷電容器僅限于低頻電路中的旁路或直流隔離，或對穩定性和損耗要求不高的場合。這些不適合在脈沖電路之中使用，因為它們容易被脈沖電壓擊穿。

高頻陶瓷電容器是由一種適合噴涂的特殊化合物制成的。電介質與銀電極燒結形成“單片”結構。高頻陶瓷電容器是適用于高頻電路的云母電容器。從結構之上看，可分為箔式和鍍銀式。銀電極是通過真空蒸發或燃燒滲透直接在云母之上沉積銀層制成的。由于消除了空氣間隙，大大降低了溫度系數，電容穩定性高于箔電極。

陶瓷電容器主要針對高頻。高壓陶瓷電容器取決于它使用的地方。典型功能可消除高頻干擾。

特殊的串聯結構，適用于高電壓、高電流爬坡率的長期運行可靠性，適用于大電流回路的無感結構。

高頻電容器具有頻率特性好、Q值高、溫度系數小等特點。它們不能制成大容量電容器。它們廣泛應用于高頻電器之中，可作為標準玻璃釉電容器使用。可在200℃或更高的溫度之下工作。額定電壓可達500V，損耗TGδ為0.0005～0.008。隨著科學技術的發展，高頻電容器和陶瓷電容器得到了廣泛的應用。選擇質量好、安全可靠的高頻和瓷介電容器是非常重要的。